G2012 دیتاشیت

G2012

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G2012
حجم فایل 76.194 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G2012

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G2012
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 29nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1255pF@10V
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@5A,4.5V
  • Package: DFN-6L(2x2)
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه